《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》的主要研究方向：工程技術-工程：電子與電氣。
期刊特色：
《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》作為一本專注于工程技術-工程：電子與電氣的國際期刊，通過發表高質量的綜述文章，為研究人員和學生提供了深入了解該領域最新研究進展的機會。該期刊反映了工程技術-工程：電子與電氣的前沿動態。期刊彌合了最新研究與傳統教科書之間的差距，幫助讀者了解進入該領域所需的基本知識。這不僅推動了學術交流，還為相關領域的研究提供了重要的參考，促進了該領域科研交流和科研成果轉化。
期刊影響力：
該期刊的影響因子為2.5。
中科院分區信息在大類學科中工程技術為：3區，小類學科中ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程技術-工程：電子與電氣：3區，
中科院分區信息
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2023年12月升級版
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區 |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣
PHYSICS, APPLIED
物理：應用
|
3區
3區
|
否 | 否 |
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2022年12月升級版
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區 |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣
PHYSICS, APPLIED
物理：應用
|
3區
3區
|
否 | 否 |
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2021年12月舊的升級版
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區 |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣
PHYSICS, APPLIED
物理：應用
|
3區
3區
|
否 | 否 |
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2021年12月基礎版
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 4區 |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣
PHYSICS, APPLIED
物理：應用
|
4區
4區
|
否 | 否 |
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2021年12月升級版
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區 |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣
PHYSICS, APPLIED
物理：應用
|
3區
3區
|
否 | 否 |
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2020年12月舊的升級版
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區 |
PHYSICS, APPLIED
物理：應用
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣
|
3區
4區
|
否 | 否 |
中科院JCR期刊分區（又稱分區表、分區數據）是中國科學院文獻情報中心世界科學前沿分析中心的科學研究成果。在中科院期刊分區表中，主要參考3年平均IF作為學術影響力，最終每個分區的期刊累積學術影響力是相同的，各區的期刊數量由高到底呈金字塔式分布。
JCR分區信息：
按JIF指標學科分區：Q2，按JCI指標學科分區：Q3
JCR分區信息
Ieee Transactions On Device And Materials Reliability（2023-2024年最新版數據）
| 按JIF指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 165 / 352 |
53.3%
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| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 87 / 179 |
51.7%
|
| 按JCI指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 186 / 354 |
47.6%
|
| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 99 / 179 |
44.97%
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湯森路透每年出版一本《期刊引用報告》（Journal Citation Reports，簡稱JCR）。JCR對86000多種SCI期刊的影響因子（Impact Factor）等指數加以統計。JCR將收錄期刊分為176個不同學科類別在JCR的Journal Ranking中，主要參考當年IF，最終每個分區的期刊數量是均分的。
（4）CiteScore：4.8，SJR：0.436，SNIP：1.148。
Cite Score（2024年最新版）
- CiteScore：4.8
- SJR：0.436
- SNIP：1.148
| 學科類別 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 大類：Engineering 小類：Safety, Risk, Reliability and Quality | Q2 | 65 / 207 |
68%
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| 大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 274 / 797 |
65%
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| 大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q2 | 103 / 284 |
63%
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CiteScore：該指標由Elsevier于2016年提出，指期刊發表的單篇文章平均被引用次數。CiteScorer的計算方式是：例如，某期刊2022年CiteScore的計算方法是該期刊在2019年、2020年和2021年發表的文章在2022年獲得的被引次數，除以該期刊2019年、2020年和2021發表并收錄于Scopus中的文章數量總和。
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