首頁(yè) > 期刊 > 自然科學(xué)與工程技術(shù) > 信息科技 > 無(wú)線電電子學(xué) > 微細(xì)加工技術(shù) > 聚合物光波導(dǎo)的反應(yīng)離子刻蝕工藝研究 【正文】
摘要:實(shí)驗(yàn)研究了表面粗糙度、側(cè)壁垂直度與各刻蝕參量之間的關(guān)系,通過(guò)對(duì)刻蝕效果的分析,發(fā)現(xiàn)在低功率、高CHF3含量、低壓強(qiáng)的情況下能獲得最小的表面粗糙度;在高功率、50%CHF3含量、低壓強(qiáng)的情況下能獲得較陡直的波導(dǎo)側(cè)壁。利用優(yōu)化的刻蝕條件,對(duì)PMMA進(jìn)行刻蝕,得到了均方根粗糙度小、側(cè)壁陡直的波導(dǎo)。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),該刻蝕條件對(duì)其他聚合物光波導(dǎo)材料的刻蝕也具有一定的指導(dǎo)意義。
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主管單位:信息產(chǎn)業(yè)部;主辦單位:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第48研究所
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