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二氧化碳激光的光致電阻效應
馬聆樂; 朱鵬飛; 孫旭; 趙廷儀 上海工程技術大學城市軌道交通學院; 上海201620
- 二氧化碳激光
- 多壁碳納米管
- 熱電子
- 電阻
摘要：通過激光照射可以在金屬氧化物半導體(MOS)結構中實現電阻變化,使用二氧化碳激光照射多壁碳納米管二氧化硅硅(MWNTs-SiO2-Si)結構,觀察電阻隨時間變化的瞬態響應.研究表明對硅片施加正偏壓,可以增大器件的電阻值,對硅片施加負偏壓,可以減小器件的電阻值.二氧化碳激光的功率越小,電阻達到極值所需的時間越長;反之,二氧化碳激光功率越大,電阻達到極值所需的時間越短.
- 二氧化碳激光
- 多壁碳納米管
- 熱電子
- 電阻
摘要：通過激光照射可以在金屬氧化物半導體(MOS)結構中實現電阻變化,使用二氧化碳激光照射多壁碳納米管二氧化硅硅(MWNTs-SiO2-Si)結構,觀察電阻隨時間變化的瞬態響應.研究表明對硅片施加正偏壓,可以增大器件的電阻值,對硅片施加負偏壓,可以減小器件的電阻值.二氧化碳激光的功率越小,電阻達到極值所需的時間越長;反之,二氧化碳激光功率越大,電阻達到極值所需的時間越短.
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