首頁(yè) > 期刊 > 自然科學(xué)與工程技術(shù) > 基礎(chǔ)科學(xué) > 自然科學(xué)理論與方法 > 內(nèi)蒙古科技大學(xué)學(xué)報(bào) > 射頻功率和沉積壓強(qiáng)對(duì)富硅-SiNx薄膜微結(jié)構(gòu)的影響 【正文】
射頻功率和沉積壓強(qiáng)對(duì)富硅-SiNx薄膜微結(jié)構(gòu)的影響
李婷婷; 周炳卿; 閆澤飛 內(nèi)蒙古師范大學(xué)物理與電子信息學(xué)院; 內(nèi)蒙古呼和浩特010022; 內(nèi)蒙古自治區(qū)功能材料物理與化學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 內(nèi)蒙古呼和浩特010022
- pecvd技術(shù)
- 光學(xué)帶隙
- 微觀結(jié)構(gòu)
摘要：基于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù),以硅烷和高純氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體源,分別設(shè)置射頻功率為50,80,110,140,170W和沉積壓強(qiáng)為200,250,300,350,400Pa兩組參數(shù)沉積富硅-SiNx薄膜.結(jié)果表明,薄膜的致密性和沉積速率與射頻功率和沉積壓強(qiáng)都有關(guān)系,射頻功率的增加導(dǎo)致光學(xué)帶隙值變大,而光學(xué)帶隙值與沉積壓強(qiáng)成非線性關(guān)系,其二者的光學(xué)帶隙值均在硅與Si3N4薄膜的光學(xué)帶隙值之間.射頻功率的增加,導(dǎo)致反應(yīng)室中N—N鍵斷裂更加完全,與硅原子結(jié)合形成大量的Si—N鍵,而薄膜中的Si原子含量降低,導(dǎo)致薄膜中含氮量增加,且樣品薄膜中Si3N4晶粒尺寸增加,表明該條件下沉積得到的是富硅-SiNx薄膜.
- pecvd技術(shù)
- 光學(xué)帶隙
- 微觀結(jié)構(gòu)
摘要：基于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù),以硅烷和高純氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體源,分別設(shè)置射頻功率為50,80,110,140,170W和沉積壓強(qiáng)為200,250,300,350,400Pa兩組參數(shù)沉積富硅-SiNx薄膜.結(jié)果表明,薄膜的致密性和沉積速率與射頻功率和沉積壓強(qiáng)都有關(guān)系,射頻功率的增加導(dǎo)致光學(xué)帶隙值變大,而光學(xué)帶隙值與沉積壓強(qiáng)成非線性關(guān)系,其二者的光學(xué)帶隙值均在硅與Si3N4薄膜的光學(xué)帶隙值之間.射頻功率的增加,導(dǎo)致反應(yīng)室中N—N鍵斷裂更加完全,與硅原子結(jié)合形成大量的Si—N鍵,而薄膜中的Si原子含量降低,導(dǎo)致薄膜中含氮量增加,且樣品薄膜中Si3N4晶粒尺寸增加,表明該條件下沉積得到的是富硅-SiNx薄膜.
注：因版權(quán)方要求，不能公開(kāi)全文，如需全文，請(qǐng)咨詢雜志社
內(nèi)蒙古科技大學(xué)學(xué)報(bào)
- 預(yù)計(jì)1個(gè)月內(nèi) 預(yù)計(jì)審稿周期
- 0.18 影響因子
- 科學(xué) 快捷分類
- 季刊 出版周期
主管單位：內(nèi)蒙古自治區(qū)教育廳;主辦單位：內(nèi)蒙古科技大學(xué)
