Journal of Semiconductors雜志簡介

《Journal of Semiconductors》雜志（CN:11-5781/TN）內容豐富、思想健康，1980年創刊，目前以月刊形式發行，刊物對外積極擴大宣傳，致力于提高雜志質量與影響。雜志是一本由中國科學院半導體研究所和中國電子學會共同主辦的國際學術期刊，該期刊致力于發表關于半導體科學與技術領域的原創研究成果，涵蓋半導體材料、器件和技術等多個學科領域。

期刊內容廣泛，包括雜質與缺陷物理、半導體物理、半導體器件與集成電路、量子器件與技術、光電子學與光器件、納米雜質與缺陷、半導體生長與制備等。其目標是推動半導體科學和技術的發展，為學術界和工業界的研究人員提供一個交流和合作的平臺。

《Journal of Semiconductors》已被多個國際權威數據庫收錄，如SCIE（Science Citation Index Expanded）、EI（Engineering Index）、CA（Chemical Abstracts）等，顯示了其在學術界的重要地位和影響力。期刊的影響因子在2023年達到了4.8，表明其發表的論文具有較高的學術水平和引用率。

此外，該期刊還注重理論與實踐的結合，積極推動半導體科學的前沿研究和工業應用。它擁有一支由國內外知名學者組成的編委會，確保了論文的學術水平和質量。通過發表基礎科學研究和工程技術成果，該期刊為讀者提供了深入了解半導體技術和應用的機會。

Journal of Semiconductors雜志特色

①內容摘要與作者單位全稱間空2-3行，要求摘要內容言簡意賅，嚴謹活潑，體現全文主題思想之精髓，不是文中某段落某句話的重復摘錄。

②文稿應具有先進性、科學性、實用性和邏輯性。論點明確，資料可靠，數據準確，層次清楚，文字精煉，圖表簡明，統計學處理方法正確、規范。

③來稿應主題突出、論點明確、論據可靠、數據準確、語言精練，具有創新性。

④引用國際組織機構報告時，應標明機構名，報告名，編號，第幾頁或第幾段，但聯大決議和安理會決議等可略去機構名和報告名，直接在UN Doc.后標出文件編號。

⑤中文題名一般不超過20個漢字，必要時可加副題名，應避免使用非公知公用的縮略語、字符、代號以及結構式和公式。

⑥文稿作者署名人數一般不超過5人，作者單位不超過3個。第一作者須附簡介，包括工作單位、地址、郵編、年齡、性別、民族、學歷、職稱、職務；其它作者附作者單位、地址和郵編。

⑦數字請按國家標準GB/T15835-1995《出版物上數字用法的規定》書寫。計量單位按我國法定計量單位、國際單位的計量單位名稱與符號表示，生化指標按國際單位制。

⑧參考文獻采用尾注實引方式，凡是引用他人的觀點、理論及數據必須按順序標注出來，文后的文獻排列順序與文中對應。

⑨稿件中的注釋請以腳注形式在當頁頁腳標出。引用報刊資料，請注明作者姓名、文章標題、刊名、刊期；引用書籍資料，請注明作者姓名、書名、出版社、出版時間和頁碼；引用互聯網資料，請注明作者姓名、文獻名、網址和時間。

⑩項目背景和目標：在文章中清晰地介紹基金項目的背景和目標。說明該項目所屬的研究領域以及解決的具體問題。